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德国IFM传感器CR0302

描述:光电器件是指根据光电效应制作的器件称为光电器件,也称光敏器件。光电器件的种类很多,但其工作原理都是建立在光电效应这一物理基础上的。光电器件的种类主要有: 光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池、光电耦合器件德国IFM传感器CR0302

更新时间:2022-06-07
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厂商性质:经销商
详情介绍

半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光照可以改变载流子的浓度,从而改变半导体的电导率MOOG HP-R18A7-RKP140TM28R1/00
PHOENIXK-5E - OE/5,0-C01/M17 F8
PHOENIXPTO 4-TWIN BU
BAUER 1986317-3 A/171B8411 08/04
MTS 传感器 RHM0920MD631P102
RITTAL TS8611.100
HYDAC 开关 EDS344-3-016-000
RITTAL备件SZ4315.710
PHOENIXMC 1,5/ 2-G-3,5 GY AU
WIKA压力表PG23CP φ100 G1/2 Bar/MPa 0-16bar
TWKCRF58 4096G 4096E12 185002
MODULOC 检测仪 LT200M
IGUS408
FIBRO电磁阀EV81-501MJ1
NORGREN NO.0863417半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光
LEGFAW1-2-1-D;18-30V DC
SOMMER气缸GP416XNC-C
KOBOLDVKP-1080 PN16
STEINEMANN 张紧气缸 6005401 设备号:305.564
NEXEN气动刹车器SBP7-32.0-060-P/N965001 S/N00002768556
TWKSWF05B-FK-01
KOBOLDVKG-2106R0R20
HEIDENHAIN557647-14
HYDACHDA3844-A-400-000
DEMAG DRS250 A65 B0 BHW60
EGE IGVU 05 GSP
HYDAC 滤芯 0950R010BN4HC
TOX易损件包Q-S015.030.100.12.00-998
MONINGHOFF电磁离合器546-32-45-S024V85MMDIN
GESSMANN操纵手柄电位器T130cNr.42x4.529KΩ
HYDAC 滤芯 0240D005BH4HC半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光
BOSCH REXROTH 电机 LS80LT
FESTO气动二联件LFR-D-MAX1/C143
KONAFLEX 液压制动器 液压制动器VKJ-650
DMG模块E5-01A31
STAUBLI RBE 03 1151 G1/4
MTS传感器GHM0655MR021A0
Hosco 6*8-14-SS-90
PHOENIXST-REL4-KG 48/21-21
PHOENIXMC 1,5/16-ST-3,81 CN3,14
LENORD+BAUER备件GEL260AV-02000-F033/0-100rpm
ZIEHL+ABEGG风机RH25M-2DK.1E.2R137734
SUCO 015-805703-022250VAC/DC 压力开关
WEIGEL PQ96K MESSB 4-20Ma
HYDAC滤芯感应器VMF2LZ.1/-BO-LED
冷却轴承箱电磁阀2835A4.0FKMMSG1/2PNVAK-8bar24VDC16W
tekniprodukter备件o-ring 15.6*1.78/nbr 70+半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光
PHOENIXUM- 8RM/KSR-G24/21/MS/SI/PLC
PHOENIXSPC 5/ 5-STF-7,62
COLASIT 风机 CN1-3.1023 FOR CHVN 560
HESMOR HID-58-K-2000-05L-5
PHOENIXWP-SC PA HF 10,0 BK
MITSUBISHI备件SD-N300 DC220V
NORELEMnlm08900-A1600x28
HSCOOLER备件KK12-BCV-421L635
REXNORD chain assembly 12B-2; L=7745.7mm; 408 bbbb
HENGSTLER联轴器3520074
BECKHOFF 模拟量输出终端 EL4132
VOGEL 开关 177-300-094 同VOGEL-0082
PHOENIXSACC-FS-4QO-0,34-M SCO
SchmersalTFH 232-22UEDR半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光
BECKHOFF 总线末端端子 KL9010
KUBLER 编码器 8.5852.1233.G121
BTR 备件 KRA-M4/1 24VDC
MTS位移传感器RHM0300MP151S3B6105
LINCOLN ULTRASCHALL-SENSOR ZPUU1-100BL-L670
BST传感器IR2001/10/150
HYDAC 传感器 HDA3840-A-350-124 10M
NORELEM03288-14 56
WEBER旋转头439228
SAMSON显示表SAMSON-5066-701793
IGUS200.02.100.0 (4M) 拖链
B+R 模块 X20DO6322
HAWE比例放大卡EV22K2-24
HUBNERHOG220DN1024TTL
COVAL备件GVPS30T14P1AL 300 mbar G1/4 G 1/2
PHOENIXSACC-DSIV-MS-4CON-L180SCOTHRSH
HYDAC EDS 1791-N-600-009半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光
B+R 3D0486.6
JUMO PT100 9021190/10 380 1001 1 8 85 11 2000 000
BST 备件 133457 cable for IR2011 length:5m
HEIDENHAIN LC483(557647-08)
BOURDON-HAENNI ED701 120-413-A66-10
EAGTOP制动电阻BRU15KW/16R
R 断路器 /GV2ME40/40A
HYDAC 传感器 ETS1701-100-000
NICOPRESS备件428-7-VF27/32
TOMOE 气动流量调节蝶阀 EDN_XL0071_DAG_A00+EP5 MULPIC上喷水凸度阀
PHOENIXCCV 2,5/12-GF-5,08-LR P26THR半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光
E+L FR5.LW7500220905 左反光板
PHOENIXFLK 50/EZ-DR/ 300/KONFEK
RONZIO02ZCG08R433D
MOOG 阀 214 500 021/B D-37401
JHUBNER 编码器 FGH6KK-2000G-90G-NG-S-J/50P
TURCK 备件 NI25-CK40-LIU-HII41+RK4.4T-2半导体材料的电导率是由载流子浓度决定的。半导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。因此,光
MTS 传感器 RHS0900MP101S2B6100
6013A/FKMM5 G1/4 0-10BAR 230V/50HZ 订货号PLX00001028
SCHMERSAL 限位开关 TA064-12Y-2512-2
GUDEL线缆0144733
FASTER WS12GAS F
AEG 调功器 1A 400-030H
DANFOSS电磁阀032U1256
FLOW5030PVDFWHEEL VA G1/2FKM 00424004
Warmbier 门2560.894.
SBA变压器169-0001
MTS 编码器 RHM1350MD631P102编码器
KNOLL离心泵TG40-52/22 285
EMG纠偏框架IMR-SR/800/2075/15
CABUR涌浪保护器BY7-40/3-1000
KOBOLD 流量计 VKM-3110-RO-R25
PARKER 比例阀 D1FVE50BCVLB35
VERDER 双隔膜泵 VA-15PPPPTFTF
mts传感器lhmr002m09351a0
HBM传感器Z6FC3 500KG-N6N-009
MAHLE滤芯PI 8430 DRG60
BINKSVS-21
HEMOMATIK 备件 BX80E/10-1H 6X24VDC
SQUARE 限位开关挡头 开关附件 B9007B1
HYDAC滤芯0240D003BH4HC
ODU备件190.235.100.201.000M德国IFM传感器CR0302德国IFM传感器CR0302



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